[发明专利]一种避免阴极断裂的PDL的制备方法

摘要

本发明公开了一种避免阴极断裂的PDL的制备方法，包括以下步骤：在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜，得到第一基板；在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影，得到第二基板；对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层，得到第三基板；对所述第三基板进行清洗，去除光刻胶，可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板，通过此方法可避免因阳极及PDL角度问题导致的阴极断裂问题，同时该方法不会改变阳极和PDL的表面形貌，且可根据设计的需求调节阳极及PDL膜层的厚度和角度，工艺流程简单、成本较低。