[发明专利]用于双自由层读头的有效后硬偏置在审
| 申请号： | 202110283387.6 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113936696A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 毛明;D·毛里;C-J·钱;李冠雄 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/55 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“用于双自由层读头的有效后硬偏置”。本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。RHB安置于所述绝缘材料上。所述RHB包含RHB晶种层以及RHB主体层。所述RHB晶种层具有26埃与35埃之间的厚度。所述RHB晶种层确保所述读头具有可均匀地施加的强RHB磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自由 层读头 有效 偏置 | ||
【主权项】：
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