[发明专利]一种判断线残风险的方法在审

专利信息
申请号: 202110284313.4 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN113075805A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 罗国仁 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种判断线残风险的方法。所述判断线残风险的方法包括:将所述待测材料设置在基板之间以形成待测液晶盒;判断所述待测液晶盒的初始线残风险;若无初始线残风险,则对所述待测液晶盒进行配向处理并对配向后的所述待测液晶盒进行电压保持率测试和离子浓度测试,获得所述待测材料的第一电压保持率和第一离子浓度;以及对所述待测液晶盒进行老化处理,并对老化后的所述待测液晶盒进行电压保持率测试和离子浓度测试,获取所述待测材料的第二电压保持率和第二离子浓度;根据所述第一电压保持率和所述第二电压保持率的差异程度和/或所述第一离子浓度和所述第二离子浓的差异程度,判断所述待测材料的线残风险,从而避免产品发生线残问题。
搜索关键词: 一种 断线 风险 方法
【主权项】:
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