[发明专利]一种铜片氧化方法有效
| 申请号： | 202110284530.3 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113215518B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊;贺贤汉;马敬伟;陆玉龙 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C8/04 | 分类号： | C23C8/04;C23C8/12 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜片氧化方法，将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面不形成氧化层。其中，氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口，加温区包括十个温区，各区温度设置如下：一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃、五区720℃、六区720℃、七区750℃、八区750℃、九区720℃、十区710℃；氧化炉顶部和底部的进气口处均分别设置有氧气进气管和氮气进气管，氧气的流量设定为38mL/min，氮气的流量设定如下：入口25～35L/min；加温区中一至三区顶部0L/min、四至六区顶部75～85L/min、八至十区顶部75～85L/min、一至十区底部0L/min；冷却区25～35L/min；出口25～35L/min。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜片 氧化 方法 | ||
【主权项】：
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