[发明专利]半导体装置与其形成方法在审
| 申请号： | 202110285717.5 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113451390A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;邱志忠;高魁佑;陈振平;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法包括形成鳍状物于装置区中，并形成半导体材料的多层堆叠中的其他鳍状物于多通道装置区中。自多层堆叠顶部移除牺牲层，以露出多通道装置区中的最顶部的纳米结构。一旦移除牺牲层，即可自多层堆叠形成纳米结构的堆叠。形成第一厚度的原生氧化物于最顶部的纳米结构上，并形成第二厚度的原生氧化物层于堆叠的保留的纳米结构上，且第一厚度大于第二厚度。栅极介电层形成于装置区中的鳍状物上。栅极形成于装置区中的栅极介电层上，并围绕多通道装置区中的原生氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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