[发明专利]一种图像传感器及照相机在审
申请号: | 202110286763.7 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113053937A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 方欣欣;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人: | 马亚坤 |
地址: | 401332 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图像传感器及照相机,其中,图像传感器包括多个光电二极管单元;该光电二极管单元包括:光电二极管和预设层;其中预设层的禁带宽度小于预定阈值;预设层设置于该光电二极管上方;该光电二极管单元两侧设置有背面深沟道隔离层;背面深沟道隔离层上方设置有金属层;通过背面深沟道隔离层连接的多个光电二极管单元的上方设置有介质层;该介质层上方设置有微透镜。通过本发明解决了现有技术中难以进一步提升NIR波段的吸收效率的问题。在本发明中锗硅工艺与现有的硅基工艺兼容,使得锗硅层在制备上不存在难点,并且锗硅层中锗的配比可以调节,进而调节锗硅层的禁带宽度,使得NIR的吸收效率更高,进而显著增强NIR波段的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 照相机 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联合微电子中心有限责任公司,未经联合微电子中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110286763.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的