[发明专利]一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110287808.2 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113046827B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王泽高;曹邦麟 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料领域。本发明将经过预处理的蓝宝石基片置于石英舟内，并倒扣于铂原料上方形成空间限域结构。采用硒粉作为原料，在高温处理下，硒粉与铂原料蒸发，在载气的作用下迁移到蓝宝石基底表面反应并生长，最终在蓝宝石基底表面获得单晶二硒化铂薄膜。本发明具有方法简单、成本低廉、无污染的特点，并且有效解决了近年来二硒化铂因为其金属前驱体蒸气压低、且不稳定的难题。本发明可应用于基于二硒化铂的电子器件、光电探测、催化、力学和磁学等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶二硒化铂 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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