[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110288849.3 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113224213B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;李彤;王世俊;曹敏;孙建建 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层生长时会积累张应力，张应力会被多量子阱层的压应力抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110288849.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电机转子组件自动贴片系统
- 下一篇：进风栅、空调内机及空调器
