[发明专利]电容器及其形成方法在审
| 申请号： | 202110291878.5 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112864322A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾;何艳芬;钟定邦 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容器及其形成方法。通过使电容介质层中的第二介质层为非连续性而具有开口，从而可使第一介质层和/或第三介质层还能够设置在开口中，相当于提高了第一介质层和/或第三介质层在电容介质层中的含量，此时即可设置第一介质层和/或第三介质层为高K材料，进而有利于提高电容介质层的整体介电常数，并且第一介质层和第三介质层可通过开口相互连接而容易具有相同的膜层品质，使其工艺更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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