[发明专利]一种高压JFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压JFET器件及制造方法，包括p型衬底、n型漂移区阱，p型阱区、中部及右侧重掺杂层降场层交替结构；中部及右侧重掺杂层降场层交替结构中，重掺杂层和降场层上下交替设置，且重掺杂层和降场层依次为交替设置的第一导电类型和第二导电类型；本发明在纵向上，降场层辅助耗尽重掺杂层，等效于降低了重掺杂层的有效浓度，在横向上，由于第一导电类型区域的有效浓度等效降低，所以横向上的表面电场峰值降低，提高了表面的耐压能力，从而重掺杂层掺杂浓度上限可以得到提升，器件得以引入更多的载流子，因此，在导通时能够降低电流路径上导通电阻，从而在维持原有击穿电压的条件下，增大器件的电流能力。