[发明专利]一种双极型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110293406.3 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113066762A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;何湘阳;魏鸿基;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8248 | 分类号： | H01L21/8248;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王文宾 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双极型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：通过发射极接触光罩形成发射极金属、源极金属和漏极金属；通过凹槽蚀刻光罩以在源极金属和漏极金属之间露出肖特基层；通过发射极台阶层光罩以在发射极金属两侧露出发射极层；通过基极接触光罩以分别形成基极金属和栅极金属。通过EC光罩同步制作发射极金属、源极金属和漏极金属，通过BC光罩在制作HBT中的基极金属时，同步制作FET中的栅极金属，如此，可以避免额外使用单独的光罩制作FET中的栅极金属，有效的简化了工艺步骤，提高了制作效率，同时，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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