[发明专利]一种V2在审

专利信息
申请号: 202110294284.X 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113054187A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 胡宪伟;李博;李卓;王晓丽;石忠宁;王兆文;陶文举 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 宁佳
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明的一种V2C‑MXene/钴镍双金属氢氧化物复合材料制备方法,属于电化学储能技术领域。制备过程为:通过特定酸刻蚀制备出V2C‑MXene纳米材料后,以V2C‑MXene为基体,一步水热法实现钴镍金属离子在V2C‑MXene表面的原位生长,从而得到具有V2C‑MXene与钴镍双金属氢氧化物交替堆叠结构的V2C‑MXene/钴镍双金属氢氧化物复合材料。该复合材料兼具了MXene材料优异导电性和结构稳定性,以及双金属氢氧化物较高的比表面积与储锂能力,展现出了很好的电化学性能,比表面积可达50.25‑70.00m2·g‑1,首次放电比容量可达500mAh·g‑1以上。
搜索关键词: 一种 base sub
【主权项】:
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