[发明专利]光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法有效
| 申请号： | 202110295543.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113066715B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 钞付芳;张君君;吴志民 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法,其中，光罩组件包括：第一光罩，用于在衬底上形成第一图形化结构，第一图形化结构具有第一图形化开口，第一图形化开口包括多个条状图形，第一光罩的中心与衬底中心重合时，第一区域与第二区域的交界线两侧的条状图形之间的距离大于其他相邻两个条状图形之间的距离；第二光罩，用于形成第二图形化结构，第二图形化结构用于覆盖第二区域的第一图形化开口，第二光罩的中心以及第一光罩的中心与衬底中心重合时，第二图形化结构的开口边缘与与其相邻的条状图形之间的距离大于第一预设距离。本申请可以有效降低光罩发生偏移引起的良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 图形 化掩膜 及其 形成 方法 有源 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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