[发明专利]一种测试结构和测试方法在审
| 申请号： | 202110298404.3 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113097085A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种测试结构和测试方法，所述测试结构包括：源测量单元和测试单元；其中，所述源测量单元包括电压产生单元和电流检测单元；所述电压产生单元用于向所述测试单元施加测试电压，所述电流检测单元用于测量所述测试单元的击穿电流；测量到所述击穿电流时，停止施加测试电压；未测量到所述击穿电流时，继续施加测试电压，以引起多次电介质软击穿；其中，所述测试电压小于电介质硬击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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