[发明专利]一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110299527.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113054002B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法，该器件包括依次层叠的蓝宝石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN梯度缓冲层、GaN/In |
||
| 搜索关键词： | 一种 增强 迁移率 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110299527.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高外量子效率的深紫外LED及其制备方法
- 下一篇：一种装修用墙面刨沟装置
- 同类专利
- 专利分类
