[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110301270.6 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN115116939A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 梁长亮;王莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成若干层层间介质层，形成一层所述层间介质层的方法包括：在所述基底上形成初始层间介质层，所述初始层间介质层内具有自由基氟；对所述初始层间介质层进行去氟处理以形成层间介质层，所述去氟处理的方法包括：使所述初始层间介质层内的自由基氟扩散至所述初始层间介质层的表面，其中，在自由基氟扩散至初始层间介质层的表面之前与之后，初始层间介质层内自由基氟的浓度分布不同；去除扩散至所述初始层间介质层表面的自由基氟。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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