[发明专利]一种通过混腐蚀改善平坦度与粗糙度的方法在审
| 申请号： | 202110302019.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951716A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;胡久林;洪漪 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通过混腐蚀改善平坦度与粗糙度的方法，对研磨后厚度为770μm的硅片进行腐蚀，包括：A、碱腐蚀：采用质量分数为45％～55％的强碱溶液在75～85℃条件下腐蚀掉3～6μm；B、酸腐蚀：采用硝酸、醋酸、氢氟酸的混酸溶液，在25～35℃条件下对步骤A处理后的硅片继续进行腐蚀，腐蚀厚度为24～27μm，其中，硝酸溶液的浓度为33～35％，醋酸溶液的浓度为21～23％，氢氟酸溶液的浓度为9～11％，硝酸溶液、醋酸溶液、氢氟酸溶液、水的体积比为2～3:1～2:0.5～1.5:2～3。本发明在本质提升了抛光SFQR的水平，并且在改善SFQR的同时兼顾背面粗糙度的改善，可以同时满足背面粗糙度190nm与平坦度0.12μm的要求，极具实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 腐蚀 改善 平坦 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
