[发明专利]一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法在审
| 申请号： | 202110302888.4 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113097159A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王来利;侯震鹏;孙立杰;赵成;裴云庆;杨旭;甘永梅;张虹 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/14;H01L25/07;H01L29/16;H01L29/78;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法，铜底板上横向设置有多块DBC，多块DBC构成9个双向开关，DBC的功率回路通过功率端子引出，DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子，9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构；本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小，寄生电感小，功率密度大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 芯片 双向 开关 功率 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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