[发明专利]一种双向开关功率模块及其制备方法在审
申请号: | 202110304159.2 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113097154A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王来利;孙立杰;侯震鹏;赵成;裴云庆;杨旭;甘永梅;张虹 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/31;H01L25/07;H01L29/16;H01L29/78;H02M1/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法,覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子,碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置,多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关,每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接,多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上,源极分别与功率端子连接,形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率,更好的可靠性,更低的热阻及良好的电气性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 双向 开关 功率 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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