[发明专利]化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统在审
| 申请号： | 202110304629.5 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113053809A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 付家赫;熊少游;程磊;谭力 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。其中化学气相沉积方法包括提供功能结构，所述功能结构上设有通孔。在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。本申请将现有技术中单层形核层、单层子导电层的导电层结构变为形核层与子导电层层叠交替设置。这样首先由于形核层中的晶粒粒径较小，致密度较高，可有效缓解在形成子导电层时因副产物的扩散而对其他层结构造成影响的问题，避免侵蚀其他材料。其次，可在一定程度上减小子导电层的厚度，从而减小形成子导电层时副产物产生的量，进而缓解副产物的扩散程度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 方法 三维 存储器 制备 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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