[发明专利]使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器在审
| 申请号： | 202110305599.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113494894A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | S·德立瓦拉;P·W·斯蒂芬斯;W·E·欧玛拉 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | G01B11/26 | 分类号： | G01B11/26 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器。实施例的各方面针对用于以精确角度光学检测空间中的对象的非接触系统、方法和装置。此方法包括使用自对准肖特基硅化铂(PtSi)PIN光电二极管(夹在中间的本征层的PN二极管)设计和制造用于测量角度响应的光电二极管阵列，该二极管可从多个维度的入射光提供线性角度测量。自对准装置被定义为对光掩模层配准不敏感的器件。与更传统的PIN二极管结构相比，该设计消除了法向入射光在“左”和“右”通道之间的器件偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属硅 阳极 对准 角度 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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