[发明专利]一种半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 202110306814.8 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113075866B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吴宗晔;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件制造方法，通过在将电路曝光到光罩的过程中，利用EDA工具来识别待曝光电路在刻蚀时容易产生断线的部分，并在待曝光电路中容易产生断线的部分所在的区域添加辅助图形后，再将第一次待曝光电路以及在第一次待曝光电路容易产生断线的部分所在的区域中添加的辅助图形同时曝光到光罩上，可以提升电路图像在光刻时的分辨率，进而确保待曝光电路可以完整的曝光到光罩上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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