[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110307382.2 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114464683A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 任啟中;洪雅琪;沈宇骏;王舜能;江文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其制造方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理机台可形成三层堆叠多晶硅结构于半导体元件的基材上。此一或多个半导体处理机台可形成一或多个多晶硅基元件于半导体元件的基材上，其中三层堆叠多晶硅结构具有第一高度，第一高度大于一或多个多晶硅基元件的一或多个第二高度。此一或多个半导体处理机台可对半导体元件进行化学机械研磨(CMP)操作，其中进行化学机械研磨操作包含使用三层堆叠多晶硅结构作为化学机械研磨操作的终止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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