[发明专利]CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110307620.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113151901A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田亚杰;闵嘉华;王坤元;王林军;张继军;李磊;刘洪涛 | 申请（专利权）人： | 中广核工程有限公司;深圳中广核工程设计有限公司;上海大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00;C30B33/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈春渠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | czt 晶体 其后 处理 方法 晶片 核辐射 探测 器件 及其 制备 | ||
【主权项】：
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