[发明专利]存储器装置中的低电阻通孔触点在审
| 申请号： | 202110308268.1 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113451205A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 朱利奥·阿尔比尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及存储器装置中的低电阻通孔触点。可以形成通孔以从周围的材料突出。可以在阵列区域上方以及在通孔上方形成阻隔材料。在阻隔材料上方形成接入线材料的第一层后，可以应用平坦化工艺直到暴露通孔的顶部。平坦化工艺可以从通孔上方去除接入线材料和阻隔材料，而接入线材料和阻隔材料可以保持在阵列区域上方。接入线材料的第一层可以在平坦化工艺期间保护未去除的阻隔材料。接入线材料的第二层可以形成在接入线材料的第一层上方并且与通孔直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 中的 电阻 触点 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
