[发明专利]一种偏振可调控的太赫兹发生器在审
| 申请号： | 202110308838.7 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112909711A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 冯正;王大承;谭为;孙松 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种偏振可调控的太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与偏转多层膜集成在同一衬底中，在偏转多层膜中设置两层轴线呈45°夹角的线栅可以形成一针对太赫兹波的四分之一波片。通过将自旋太赫兹源与太赫兹四分之一波片集成在同一衬底，通过外加磁场的旋转可以改变自旋太赫兹源产生的线偏振太赫兹波的偏振方向，而不同偏振方向的太赫兹波在经过太赫兹四分之一波片时，可以产生包括线偏振太赫兹波、左旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波、右旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波的多种偏振模式，从而可以实现简便的调节太赫兹波的偏振模式，在单一器件上只通过旋转磁场实现多种偏振模式的太赫兹波产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 调控 赫兹 发生器 | ||
【主权项】：
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