[发明专利]一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED有效
| 申请号： | 202110309127.1 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112802935B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;李由;胡洋;储政勇;谢峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 丁瑞瑞 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述电子阻挡层为双量子阱臂结构，所述电子阻挡层自下而上依次包括AlxGa1‑xN势垒层、AlyGa1‑yN量子阱层、AlxGa1‑xN势垒层、GaN势阱层、AlxGa1‑xN势垒层、AlzGa1‑zN量子阱层与AlxGa1‑xN势垒层；本发明的优点在于：能够减弱引入电子阻挡层造成的有害极化效应，提高空穴的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 结构 电子 阻挡 led | ||
【主权项】：
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