[发明专利]一种TSV结构及TSV电镀工艺在审
| 申请号： | 202110309153.4 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113078131A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;顾毛毛;莫炯炯;郭西;高群 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;C25D7/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种TSV结构及TSV电镀工艺。本发明的TSV结构包括硅片，所述硅片上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属，所述TSV金属露头部分与硅片的上表面和下表面齐平，所述硅片的表面沉积有钝化层，所述硅片两侧的钝化层上设置有种子层，所述钝化层为绝缘层或氧化层。本发明在硅片和载片的表面制作种子层，然后把硅片和载片临时键合在一起，通过在硅片边缘种子层表面施加电流的方式使电流直接通到TSV盲孔的底部，实现电镀从底部开始的目的，由于TSV盲孔所在区域的硅片侧壁和开口区域只设置钝化层，不设置种子层，在电镀TSV金属的过程中不会出现开口封闭的问题，可以使用更大的电流实现更深TSV孔的电镀，从而提高电镀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 结构 电镀 工艺 | ||
【主权项】：
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