[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构在审
| 申请号： | 202110311963.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115132917A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;许清桦;蔡锡翰;黄舜渔;翁宸毅;范儒钧;张哲维;林奕佑;许博凯;张境尹;洪雅娟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构，包括一基底、多个磁阻式随机存取存储器单元位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于一存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接、以及一超低介电系数层覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中该超低介电系数层的表面部位有掺杂氟，且位于该存储器区与该逻辑区交界处的该超低介电系数层的表面具有凹痕。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 结构 | ||
【主权项】：
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