[发明专利]一种岛状纳米多孔金基底的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110312059.4 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113088906A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 张玲;周俊杰;曾和平 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;G01N21/65
代理公司: 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 代理人: 余昌昊
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种岛状纳米多孔金基底的制备方法,包括以下步骤:S1、进行准备镀膜的材料,制备纯铬靶材、纯金靶材、金银合金靶材;S2、使用磁控溅射镀膜仪在单晶硅表面依次溅射铬膜、金膜、和金银合金薄膜,得到薄膜前驱体;S3、利用合金成分化学活性差异,采用试剂去除合金中的银素,形成多孔金;S4、取出样品,先用去离子水冲洗数次,以出去样品表面吸附的试剂,然后用氮气吹干,得到岛状纳米多孔金SERS基底;S5、对所述步骤S4中的基底进行拉曼信号的检测。根据本发明,工艺简单成本低,可重复性好,并且制备出的基底表面均匀、时效性优异、SERS性能良好。
搜索关键词: 一种 纳米 多孔 基底 制备 方法
【主权项】:
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