[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110313022.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113193046A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朱一鸣;韩国庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：基底；若干栅极沟槽，形成于所述基底中；栅极结构，位于每个所述栅极沟槽中，包括屏蔽栅多晶硅层、栅极多晶硅层、第一氧化层、第二氧化层第三氧化层，所述第一氧化层覆盖所述栅极沟槽的内壁，所述屏蔽栅多晶硅层位于所述第一氧化层上并填充所述栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁与所述屏蔽栅多晶硅层之间形成第一开口，所述第二氧化层覆盖所述基底的表面及所述第一开口的内壁，所述第三氧化层覆盖所述第一开口内的第二氧化层，所述栅极多晶硅层位于所述第三氧化层上并填充所述第一开口的部分深度；本发明改善了半导体器件中信号串扰的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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