[发明专利]二硫化钼增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底有效
| 申请号： | 202110316048.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113156555B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吕柳;陈磊;张良;赵甜甜 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种二硫化钼增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底，该基底为层状结构，自下而上依次为硅层、300nm厚的SiO |
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| 搜索关键词： | 二硫化钼 增强 纳米 表面 等离子体 传输 长度 基底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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