[发明专利]一种高阻隔膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110317675.9 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN112895660A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 宋尚金;胡业新;高毓康;刘世琴 申请(专利权)人: 江苏日久光电股份有限公司
主分类号: B32B27/36 分类号: B32B27/36;B32B27/32;B32B27/30;B32B27/08;B32B37/00;B65D65/40;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35
代理公司: 苏州科仁专利代理事务所(特殊普通合伙) 32301 代理人: 郭杨
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种高阻隔膜,包括柔性基层,由柔性基层的一面依次设置的第一无机氧化物层、第二无机氧化物层、第三无机氧化物层、第四无机氧化物层、保护膜,第一、第二、第三、第四无机氧化物层均由磁控溅射工艺制备而成的,第一层无机氧化物层厚度为10‑20nm,第二层无机氧化物层厚度为20‑40nm,第三层无机氧化物层厚度为10‑20nm,第四层无机氧化物层厚度为5‑20nm。本发明通过对不同靶材在制备过程中相对位置的前后搭配,可实现各个无机氧化物层位置的灵活变化,且整个阻隔膜制备工艺,通过磁控溅射技术可以实现柔性基体一次性通过制备流程完成整个阻隔膜制备,且磁控溅射制备方法对各个薄膜层厚度能够实现灵活改变,并不会产生额外制备流程,有效提高生产效率,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 阻隔 及其 制备 方法
【主权项】:
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