[发明专利]无需退火的氧化物晶体生长方法及设备在审
| 申请号： | 202110318110.2 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN113073387A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王宇;官伟明;李敏 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 杨永梅 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书实施例提供一种晶体生长方法，所述方法包括：根据生成晶体的反应方程式对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对反应物料进行称重，其中，包含Si或Ga的反应物料的重量超出基于反应方程式计算出的其理论重量的0.01％‑10％；对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于晶体生长装置内,装配前处理至少包括对埚的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种；晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；启动晶体生长装置基于上提拉法生长晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 无需 退火 氧化物 晶体生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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