[发明专利]一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法在审
| 申请号： | 202110319745.4 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113020737A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张丽霞;潘辉;耿慧远;孙湛;张博;赵淑珍;冯吉才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/19;B23K1/20;B23K35/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，涉及钎焊连接技术领域。本发明的目的是要解决现有方钴矿与铜电极的连接界面由于存在严重的元素扩散而降低焊接头的连接强度以及增加界面的接触电阻和接触热阻，进而导致热电器件的转换效率低的问题。方法：将待焊Co箔置于待焊方钴矿热电材料和待焊铜电极之间进行装配，得到待焊连接件，在5×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 中间层 扩散 连接 方钴矿 电极 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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