[发明专利]半导体工艺设备有效
申请号: | 202110321586.1 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113073312B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 曹丽梦;刘学庆 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/52;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体工艺设备,包括晶片传输模块和至少一个工艺腔室,每个工艺腔室均包括多个反应腔室,晶片传输模块用于向每个工艺腔室中的多个反应腔室中放入晶片,还包括控制装置,用于在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的工艺腔室中的反应腔室数量时,控制晶片传输模块向工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片。在本发明中,控制装置能够在当前批次的剩余待加工晶片数量小于工艺腔室中的反应腔室数量时,根据各反应腔室种的副产物镀膜调整优先级顺序,使镀膜厚度较小的反应腔室优先接收晶片并进行半导体工艺,提高了半导体工艺设备的腔室匹配性能,进而提高了各反应腔室产出晶片之间的一致性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的