[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110327423.4 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078265B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡欢;朱克宝;陈世平;陈鹏堃 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K30/80 | 分类号： | H10K30/80;H10K39/32;H10K71/00;G02B5/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，该方法形成金属滤光层，并形成多个在垂直方向上贯穿金属滤光层的滤光孔，然后形成隔离介质层于滤光孔的侧壁，并形成底部透明电极‑感光层‑顶部透明电极三明治结构于滤光孔中。本发明采用带有滤光孔的金属滤光层选择性透过相应波长的光，并采用感光层对通过滤光孔的光波进行感光以产生光电信号，最终通过读出电路读出。其中，感光层可包括有机感光材料，例如富勒烯衍生物，其感光范围的调节自由度较高，由于金属滤光层很薄，同时富勒烯感光层在很薄的厚度下就有不错的感光特性，因此本发明的CMOS图像传感器的像素密度与可见光的分辨率均可以做到极高，且无需采用有机物彩色滤光板，可进一步提高像素密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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