[发明专利]一种场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110328230.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113097305B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 林河北;覃尚育;张泽清;葛立志 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片技术领域，公开了场效应管包括在碳化硅衬底形成第一外延层，在第一外延层上的第二外延层，间隔形成在第二外延层内的第一注入区，第二外延层包括第一子外延层和第二子外延层，第一子外延层位于第一注入区之间，在衬底上形成导电类型不同的两层外延层，在第二子外延层之间并与第一子外延层形成第二注入区，以及形成在第二子外延层内并远离第二注入区的第三注入区，贯穿第二外延层并延伸至第一外延层内的沟槽、形成在沟槽的侧壁和沟槽的底部的氧化层、以及形成在氧化层上的多晶硅，沟槽与第一注入区、第二子外延层和第三注入区连接，还公开了场效应管制备方法，提高了器件的工作性能，降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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