[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202110330162.1 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113284986B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。依照循环流程生长多量子阱层中的至少一个InGaN阱层。向反应腔通入的有机金属源中的镓源与铟源会较为均匀地层铺在GaN材料上，提高InGaN阱层的晶体质量。之后通入的阱层氨气进入反应腔后，在GaN材料上形成铟组分的分布较为均匀的InGaN膜，向反应腔交替通入金属有机源与阱层氨气，则可以在GaN材料上依次层叠多个内部In组分分布较为均匀的InGaN膜，多个InGaN膜层叠得到的InGaN阱层。得到的InGaN阱层内部的In组分分布的均匀程度得到提高，最终得到的发光二极管的发光均匀度也可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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