[发明专利]集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法在审
| 申请号： | 202110330235.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113140624A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 关天鹏;刘珩;杨志刚;冷江华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法，位于衬底上的氧化物多晶硅栅极；包含高K介质层和位于其上的金属栅层；高K金属栅极不完全覆盖于氧化物多晶硅栅极一侧；氧化物多晶硅栅极及高K金属栅极外侧的衬底上设有金属硅化物层；氧化物多晶硅栅极中未被覆盖的表面设有金属硅化物层；栅极侧墙；层间介质层；衬底上的金属硅化物、氧化物多晶硅栅极表面的金属硅化物以及金属电极层的上表面设有贯穿于层间介电层中的导电接触件。本发明的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构同时具有高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极，互相兼容，在工作时互相独立，在多种栅极共存的半导体器件等特定领域得到实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 金属 栅极 氧化物 多晶 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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