[发明专利]一种单体抗直流分量磁芯的制作方法在审
| 申请号： | 202110330929.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN115132479A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 韩忠永 | 申请（专利权）人： | 天津奥纳富霖科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市蓟州区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种单体抗直流分量磁芯的制作方法，它涉及磁芯制作技术领域。它包含十个工艺步骤，步骤一：选用纳米晶磁芯与非晶磁芯材料，带材厚度为30±5μm；步骤二：采用缠绕机缠绕形成磁芯结构为内圆孔直径ID、外圆周直径OD、总高度HT的外形尺寸；步骤三：将预备的真空退火炉的温度预设至500±20℃；磁芯采用双头铁芯设计，其材料为纳米晶磁芯与非晶磁芯组合，保证高初始导磁率，通过直流分量的情况下不会出现饱和，重量轻，成本低，具有优良的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单体 直流 分量 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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