[发明专利]一种用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110331198.1 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113072380B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 乔梁;何永恒;赵洋;沈烨 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;C30B29/22;C30B23/02 |
| 代理公司： | 成都正德明志知识产权代理有限公司 51360 | 代理人： | 张小娟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材及其制备方法与应用，其制备方法包括以下步骤：(1)混合并造粒；(2)预烧；(3)压靶成型；(4)烧结。本发明通过添加粘结剂并在预定温度下预烧脱碳造粒，初步反应形成前驱体，然后再二次研磨、干燥压片并最终在高温下烧结成单相的用于PLD系统的钴酸镧陶瓷靶材。该方法成本低、工艺简单以及制备周期短，适用于大规模生产。由该方法制备出的陶瓷靶材，能够生长出高质量的外延薄膜，适用范围更广泛，具有强大的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pld 钴酸镧 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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