[发明专利]制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法在审
| 申请号： | 202110331803.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113050374A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赖韦翰;杨立柏;张尚文;张庆裕;林子扬;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本公开涉及制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法。制造半导体器件包括形成光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射并显影以形成图案。光致抗蚀剂组合物包含：含碘敏化剂、光活性化合物和聚合物。含碘敏化剂包括铵、鏻或杂环铵碘化物， |
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| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 光致抗蚀剂 组合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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