[发明专利]一种陶瓷基双面RDL 3D封装方法及结构在审
| 申请号： | 202110332605.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113178440A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙函子;门国捷;徐浩然;王宁;刘全威;张崎 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了高密度集成电路封装领域的一种陶瓷基双面RDL 3D封装方法及结构，包括具有多层布线结构的陶瓷基板，所述陶瓷基板内部通过厚膜TCV通孔实现电气垂直互连；所述陶瓷基板的正面制备有正面多层薄膜RDL层，正面多层薄膜RDL层上安装电子器件，且陶瓷基板的正面采用气密性结构封装；所述陶瓷基板的背面开设至少一个腔体，腔体的内部还设有电子器件；所述腔体内部以及陶瓷基板的背面形成有固化的介质层，所述介质层上制备有背面多层薄膜RDL层。本发明将有源芯片和无源器件等电子器件集成在封装结构上，不通过2.5D转接板即可实现高密度芯片的RDL，有效缩短芯片间电气传输的物理距离，降低传输损耗、提升电路带宽、降低系统热阻，提升布线密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 双面 rdl 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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