[发明专利]存储器单元以及形成存储器单元的方法在审
| 申请号： | 202110333551.X | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113205850A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及存储器单元以及形成存储器单元的方法。本发明的一些实施例揭示一种存储器单元，其包含：第一晶体管，其具有耦合到位线的第一扩散区及耦合到第一字线的第一栅极电极；第二晶体管，其具有耦合到所述位线的第二扩散区及耦合到第二字线的第二栅极电极；及第三晶体管，其具有耦合到所述第一晶体管的第四扩散区的第三扩散区、耦合到所述第二晶体管的第六扩散区的第五扩散区及耦合到第三字线的第三栅极电极；其中所述第一晶体管经布置以具有第一阈值电压，所述第二晶体管经布置以具有第二阈值电压，且所述第二阈值电压不同于所述第一阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
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