[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；第一晶体管，第一晶体管位于衬底上；第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方；栅极结构，栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，第一栅极层环绕第一晶体管设置，第二栅极层环绕第二晶体管设置；其中，第一晶体管的延伸方向和第二晶体管的延伸方向均垂直于衬底。第一晶体管和第二晶体管在竖直方向堆叠，增加了半导体结构的导电通道长度，同时减小了半导体结构的占用面积，以此改善半导体结构的性能。