[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；第一导电通道包括第一沟道区以及位于第一沟道区相对两端的第一掺杂区和第二掺杂区；第一电连接结构，位于基底内，并与第一掺杂区相接触；第二电连接结构，与第二掺杂区相接触；第二导电通道包括第二沟道区以及位于第二沟道区相对两端的第三掺杂区和第四掺杂区，且第三掺杂区与第二电连接结构远离基底的一侧相接触，第二导电通道在基底上的正投影与第一导电通道在基底上的正投影至少存在部分不重叠的区域；栅极结构，环绕第一沟道区和第二沟道区。本申请实施例在降低沟道区在水平方向上的占用面积的同时，有利于降低第一导电通道和第二导电通道之间的电干扰。