[发明专利]一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110336608.1 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951904B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈晓宇;赵杰;孙有民;薛智民 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在BNW区上形成闭环的深磷区，深磷区与DNW区连通，深磷区位于两个场区隔离之间；在BNW区上形成基区，基区位于深磷区内部；在基区的上端面形成闭环的多晶隔离；在基区上形成发射区，在BNW区上形成闭环的集电区，发射区位于多晶隔离内，集电区位于两个场区隔离之间，且集电区与深磷区交叠；在基区上形成闭环的基区接触区，基区接触区位于多晶隔离外部。本发明形成的NPN导通电阻小、放大倍数高，工艺流程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 放大 倍数 npn 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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