[发明专利]提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件有效
| 申请号： | 202110337941.4 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN112951923B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张龙;崔汪明;马杰;祝靖;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区连接，第一漏区与第二漏区连接，4个多晶硅场板分别与4个N+注入层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 横向 扩散 场效应 表面 迁移率 方法 器件 | ||
【主权项】：
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