[发明专利]一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺在审
| 申请号： | 202110339399.6 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113053798A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 徐昶 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面制程；S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆或晶粒不会产生碎裂的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 强化 玻璃 超薄 晶减薄 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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